Bộ nhớ flash trong SSD là một công cụ lưu trữ hiện đại với thiết kế gọn nhẹ được cài đặt trong ổ cứng SSD và USB.
1.Định nghĩa về bộ nhớ flash
Bộ nhớ flash là một chip bộ nhớ được sử dụng trong SSD để lưu trữ dữ liệu trong máy tính hoặc để chuyển giao dữ liệu từ máy tính đến các thiết bị kỹ thuật số (USB), là một bộ nhớ không khả biến có thể xóa và ghi lại bằng điện.
Bộ nhớ flash là một loại lập trình điện tử có thể xóa có thể đọc và ghi dữ liệu như SSD, hoặc cũng có thể là một thiết bị lưu trữ bộ nhớ độc lập như một ổ USB. Nó còn được gọi là EEPROM, là một chip nhớ không bay hơi. EEPROM là bộ nhớ không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện, đây là một loại thiết bị bộ nhớ dữ liệu sử dụng một thiết bị điện tử để xóa hoặc ghi dữ liệu kỹ thuật số. Bộ nhớ flash là một loại riêng biệt của EEPROM được lập trình và xóa hoàn toàn trong dung lượng lớn.
Bộ nhớ flash kết hợp việc sử dụng các transistor (là một loại linh kiện bán dẫn chủ động) để lưu trữ dữ liệu. Floating – cổng bóng bán dẫn hay cổng MOSFET (FDMOS) nổi, cũng tương tự như MOSFET, nó là một bóng bán dẫn được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển đổi tín hiệu điện tử. Bộ nhớ flash tương tự như các MOFSET tiêu chuẩn, trừ các bóng bán dẫn có hai của thay vì một cửa.
2.Giải thích về bộ nhớ flash
Bộ nhớ flash được giới thiệu lần đầu vào năm 1980 và phát triển bởi tiến sĩ Fujio Masuoka, một nhà phát minh và cũng là người quản lý nhà máy Tập đoàn Toshiba (TOSBF). Bộ nhớ flash được đặt tên theo khả năng của mình để xóa một khối dữ liệu trong nháy mắt. Mục tiêu của Tiến sĩ Masuoka là tạo ra một chip bộ nhớ bảo quản dữ liệu khi điện đã được tắt. Tiến sĩ cũng phát minh ra một loại bộ nhớ được gọi là Samos và phát triển một bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên 1MB. Năm 1988, Tập đoàn Intel sản xuất NOR, loại chip flash thương mại đầu tiên, thay thế bộ nhớ chỉ đọc (ROM) chip trên bo mạch chủ máy tính có chứa các đầu vào/ hệ điều hành ra cơ bản hệ thống (BIOS).
Một con chip bộ nhớ flash gồm cửa NOR hoặc NAND. NOR là một bộ phận của bộ nhớ được tạo ra bởi Intel vào năm 1988. Các cổng giao diện NOR hỗ trợ địa chỉ đầy đủ, drive dữ liệu và truy cập ngẫu nhiên đến bất kỳ vị trí nhớ nào. NAND được phát triển bởi Toshiba một năm sau khi NOR được sản xuất. Nó mạnh và nhanh hơn, chi phí cũng thấp hơn cho mỗi bit, đòi hỏi diện tích chip nhỏ hơn và có thêm khả năng phục hồi. Tuổi thọ của một cổng NAND là khoảng 100.000ghi/ xóa của chu kỳ.
Bộ nhớ flash trong SSD có nhiều tính năng. Đó là giá thành rẻ hơn so với EEPROM và không cần pin để lưu trữ như RAM tĩnh. Nó không dễ bay hơi, có một thời gian truy cập nhanh và có có thể chịu được va chạm và bảo vệ dữ liệu an toàn hơn là một ổ đĩa cứng truyền thống. Ổ cứng SSD có chứa bộ nhớ flash có độ bền và có thể chịu được áp lực cường độ cao hoặc nhiệt độ khắc nghiệt. Nó có thể sử dụng cho nhiều thiết bị như máy ảnh kỹ thuật số, điện thoại di động, máy tính xách tay, PDA, máy nghe nhạc và ổ cứng SSD.